深圳市科時達(dá)電子科技有限公司
詳細(xì)摘要： NTE-4000（M）熱蒸發(fā)系統(tǒng)概述：NANO-MASTER NTE-4000是一款PC計算機(jī)控制的臺式熱蒸發(fā)系統(tǒng)，在有機(jī)物和金屬沉積方面具有廣泛的應(yīng)用。設(shè)備的...
產(chǎn)品型號：所在地：深圳市更新時間：2024-02-19 在線留言
詳細(xì)摘要： NPE-3500 PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)概述：NANO-MASTER PECVD系統(tǒng)能夠沉積高質(zhì)量的SiO2, Si3N4, 或DLC薄膜到可達(dá)12...
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詳細(xì)摘要： 原子層沉積（Atomic layer deposition)是一種可以將物質(zhì)以單原子膜形式一層一層的鍍在基底表面的方法。原子層沉積與普通的化學(xué)沉積有相似之處。但...
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詳細(xì)摘要： 電子束蒸發(fā)系統(tǒng)是化合物半導(dǎo)體器件制作中的一種重要工藝技術(shù)；它是在高真空狀態(tài)下由電子束加熱坩堝中的金屬，使其熔融后蒸發(fā)到所需基片上形成金屬膜。
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詳細(xì)摘要： Leica EM ACE600是優(yōu)良的多用途高真空薄膜沉積系統(tǒng)，設(shè)計來根據(jù)您的FE-SEM和TEM應(yīng)用的需要生產(chǎn)非常薄的，細(xì)粒度的和導(dǎo)電的金屬和碳涂層，用于高分...
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詳細(xì)摘要： 技術(shù)參數(shù)：l 自動的換氣與泄氣功能，可以得到一致的膜厚，和的導(dǎo)電噴鍍效果。l 通過高效低壓直流磁控頭進(jìn)行冷態(tài)精細(xì)的噴鍍過程，避免樣品表面受損。
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詳細(xì)摘要： 美國Creative Design Engineering, 簡稱“CDE"，成立于1995年，位于美國加州硅谷的庫比蒂諾 - Cupertino, CDE公司...
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詳細(xì)摘要： 美國Four Dimensions,Inc, 簡稱“4D"，成立于1978年，位于美國加州硅谷的Hayward, 4D公司專注于四探針設(shè)備和CV儀的生產(chǎn)和銷售，...
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詳細(xì)摘要： NSC-3000（A）全自動磁控濺射系統(tǒng)概述：帶有水冷或者加熱(可加熱到700度)功能，到6旋轉(zhuǎn)平臺，可支持到3個偏軸平面磁控管。
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詳細(xì)摘要： 激光分子束外延(Laser MBE)是上個世紀(jì)90年代發(fā)展起來的一種新型高精密制膜技術(shù)，它集PLD的制膜特點和傳統(tǒng)MBE的超高真空精確控制原子尺度外延生長的原位...
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詳細(xì)摘要： 基質(zhì)輔助脈沖激光蒸發(fā)(MAPLE)是PLD的一種變體。這是由NRL集團(tuán)新引入的技術(shù)，以促進(jìn)某些功能有機(jī)材料的薄膜沉積?；赨V (5-6 eV)的傳統(tǒng)PLD技術(shù)...
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詳細(xì)摘要： 1.ALD (傳統(tǒng)的熱原子層沉積)；2.PEALD (等離子增強(qiáng)原子層沉積)；3.Powder ALD (粉末樣品的原子層沉積)；儀器簡介：原子層沉積（Atom...
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詳細(xì)摘要： NLD-3500（A）全自動原子層沉積系統(tǒng)概述：原子層沉積是一項沉積薄膜的重要技術(shù)，具有廣泛的應(yīng)用。ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉...
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詳細(xì)摘要： PICOSUN擁有30多年在芬蘭ALD反應(yīng)器制造而得到的專業(yè)技術(shù)。Tuomo Suntola博士，于1974年發(fā)明了ALD技術(shù)，是PICOSUN董事會的成員。我...
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詳細(xì)摘要： 系統(tǒng)中的PECVD可以沉積高質(zhì)量SiO2薄膜、Si3N4薄膜、類金剛石薄膜、硬質(zhì)薄膜、光學(xué)薄膜等。標(biāo)準(zhǔn)配置射頻(RF)，可選用空陰密度等離子體(HCD)源、感應(yīng)...
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詳細(xì)摘要： PE-CVD解決方案與典型CVD反應(yīng)器相比，等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積(PE-CVD)提供了一種可使用更低溫度沉積各種薄膜的有效替代方案，同時不會降低薄膜質(zhì)量。...
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詳細(xì)摘要： SAL-3000 ALD原子層沉積系統(tǒng)SAL3000是一款適用于研究型的ALD原子層沉積設(shè)備，該設(shè)備最多可搭載6路前驅(qū)體，適用于4英寸（φ100mm）以下基底材...
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